APTM50H10FT3G 数据表
规格 APTM50H10FT3G
零件号 :
APTM50H10FT3G
制造商 :
Microsemi Corporation
描述 :
MOSFET 4N-CH 500V 37A SP3
系列 :
-
零件状态 :
Active
FET型 :
4 N-Channel (H-Bridge)
FET特点 :
Standard
漏极至源极电压（Vdss） :
500V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ :
37A
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 :
120 mOhm @ 18.5A, 10V
VGS（TH）（最大）标识 :
5V @ 1mA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 :
96nC @ 10V
输入电容（CISS）（最大）的Vds :
4367pF @ 25V
功率 - 最大 :
312W
工作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型 :
Chassis Mount
封装/箱体 :
SP3
供应商设备封装 :
SP3
重量 :
-
条件 :
新的和原始的
质量保证 :
365天保修
库存资源 :
特许经销商/制造商直销
出生国家 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
制造商零件编号
内部零件号
ABC-APTM50H10FT3G
简要描述
MOSFET 4N-CH 500V 37A SP3
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
45248 件
参考价
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