EPC2022 数据表
规格 EPC2022
零件号 :
EPC2022
制造商 :
EPC
描述 :
GAN TRANS 100V 3MOHM BUMPED DIE
系列 :
eGaN®
零件状态 :
Active
FET型 :
N-Channel
技术 :
GaNFET (Gallium Nitride)
漏极至源极电压（Vdss） :
100V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ :
60A (Ta)
驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） :
5V
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 :
3.2 mOhm @ 25A, 5V
VGS（TH）（最大）标识 :
2.5V @ 12mA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 :
-
VGS（最大） :
+6V, -4V
输入电容（CISS）（最大）的Vds :
1500pF @ 50V
FET特点 :
-
功率耗散（最大） :
-
工作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型 :
Surface Mount
供应商设备封装 :
Die
封装/箱体 :
Die
重量 :
-
条件 :
新的和原始的
质量保证 :
365天保修
库存资源 :
特许经销商/制造商直销
出生国家 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
制造商零件编号
内部零件号
ABC-EPC2022
制造商
简要描述
GAN TRANS 100V 3MOHM BUMPED DIE
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
156704 件
参考价
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