EPC2105ENGRT 数据表
规格 EPC2105ENGRT
零件号 :
EPC2105ENGRT
制造商 :
EPC
描述 :
GANFET 2NCH 80V 9.5A DIE
系列 :
eGaN®
零件状态 :
Active
FET型 :
2 N-Channel (Half Bridge)
FET特点 :
GaNFET (Gallium Nitride)
漏极至源极电压（Vdss） :
80V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ :
9.5A
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 :
14.5 mOhm @ 20A, 5V
VGS（TH）（最大）标识 :
2.5V @ 2.5mA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 :
2.5nC @ 5V
输入电容（CISS）（最大）的Vds :
300pF @ 40V
功率 - 最大 :
-
工作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型 :
Surface Mount
封装/箱体 :
Die
供应商设备封装 :
Die
重量 :
-
条件 :
新的和原始的
质量保证 :
365天保修
库存资源 :
特许经销商/制造商直销
出生国家 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
制造商零件编号
内部零件号
ABC-EPC2105ENGRT
制造商
简要描述
GANFET 2NCH 80V 9.5A DIE
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
154208 件
参考价
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- Bank Transfer (Wire Transfer)
- Western Union
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