GA100JT12-227 数据表
规格 GA100JT12-227
零件号 :
GA100JT12-227
制造商 :
GeneSiC Semiconductor
描述 :
TRANS SJT 1200V 160A SOT227
系列 :
-
零件状态 :
Obsolete
FET型 :
-
技术 :
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
漏极至源极电压（Vdss） :
1200V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ :
160A (Tc)
驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） :
-
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 :
10 mOhm @ 100A
VGS（TH）（最大）标识 :
-
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 :
-
VGS（最大） :
-
输入电容（CISS）（最大）的Vds :
14400pF @ 800V
FET特点 :
-
功率耗散（最大） :
535W (Tc)
工作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型 :
Chassis Mount
供应商设备封装 :
SOT-227
封装/箱体 :
SOT-227-4, miniBLOC
重量 :
-
条件 :
新的和原始的
质量保证 :
365天保修
库存资源 :
特许经销商/制造商直销
出生国家 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
制造商零件编号
内部零件号
ABC-GA100JT12-227
简要描述
TRANS SJT 1200V 160A SOT227
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
87584 件
参考价
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