HGTP10N120BN 数据表
规格 HGTP10N120BN
零件号 :
HGTP10N120BN
制造商 :
ON Semiconductor
描述 :
IGBT 1200V 35A 298W TO220AB
系列 :
-
零件状态 :
Not For New Designs
IGBT类型 :
NPT
电压 - 集电极发射极击穿（最大） :
1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大） :
35A
电流 - 集电极脉冲（ICM） :
80A
的VCE（on）（最大）Vge的，集成电路 :
2.7V @ 15V, 10A
功率 - 最大 :
298W
开关能量 :
320µJ (on), 800µJ (off)
输入类型 :
Standard
栅极电荷 :
100nC
TD（开/关）@ 25℃ :
23ns/165ns
测试条件 :
960V, 10A, 10 Ohm, 15V
反向恢复时间（trr） :
-
工作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型 :
Through Hole
封装/箱体 :
TO-220-3
供应商设备封装 :
TO-220-3
重量 :
-
条件 :
新的和原始的
质量保证 :
365天保修
库存资源 :
特许经销商/制造商直销
出生国家 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
制造商零件编号
内部零件号
ABC-HGTP10N120BN
制造商
简要描述
IGBT 1200V 35A 298W TO220AB
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
366954 件
参考价
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