HTNFET-T 数据表
规格 HTNFET-T
零件号 :
HTNFET-T
制造商 :
Honeywell Aerospace
描述 :
MOSFET N-CH 55V 4-PIN
系列 :
HTMOS™
零件状态 :
Active
FET型 :
N-Channel
技术 :
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压（Vdss） :
55V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ :
-
驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） :
5V
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 :
400 mOhm @ 100mA, 5V
VGS（TH）（最大）标识 :
2.4V @ 100µA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 :
4.3nC @ 5V
VGS（最大） :
10V
输入电容（CISS）（最大）的Vds :
290pF @ 28V
FET特点 :
-
功率耗散（最大） :
50W (Tj)
工作温度 :
-55°C ~ 225°C (TJ)
安装类型 :
Through Hole
供应商设备封装 :
4-Power Tab
封装/箱体 :
4-SIP
重量 :
-
条件 :
新的和原始的
质量保证 :
365天保修
库存资源 :
特许经销商/制造商直销
出生国家 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
制造商零件编号
内部零件号
ABC-HTNFET-T
简要描述
MOSFET N-CH 55V 4-PIN
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
59134 件
参考价
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