IXTP6N50D2 数据表
规格 IXTP6N50D2
零件号 :
IXTP6N50D2
制造商 :
IXYS
描述 :
MOSFET N-CH 500V 6A TO220AB
系列 :
-
零件状态 :
Active
FET型 :
N-Channel
技术 :
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压（Vdss） :
500V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ :
6A (Tc)
驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） :
-
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 :
500 mOhm @ 3A, 0V
VGS（TH）（最大）标识 :
-
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 :
96nC @ 5V
VGS（最大） :
±20V
输入电容（CISS）（最大）的Vds :
2800pF @ 25V
FET特点 :
Depletion Mode
功率耗散（最大） :
300W (Tc)
工作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型 :
Through Hole
供应商设备封装 :
TO-220AB
封装/箱体 :
TO-220-3
重量 :
-
条件 :
新的和原始的
质量保证 :
365天保修
库存资源 :
特许经销商/制造商直销
出生国家 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
制造商零件编号
内部零件号
ABC-IXTP6N50D2
制造商
简要描述
MOSFET N-CH 500V 6A TO220AB
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
124896 件
参考价
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Xilinx Inc. |
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