LN100LA-G 数据表
规格 LN100LA-G
零件号 :
LN100LA-G
制造商 :
Microchip Technology
描述 :
MOSFET 2N-CH 1200V
系列 :
-
零件状态 :
Obsolete
FET型 :
2 N-Channel (Cascoded)
FET特点 :
Standard
漏极至源极电压（Vdss） :
1200V (1.2kV)
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ :
-
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 :
3000 Ohm @ 2mA, 2.8V
VGS（TH）（最大）标识 :
1.6V @ 10µA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 :
-
输入电容（CISS）（最大）的Vds :
50pF @ 25V
功率 - 最大 :
350mW
工作温度 :
-25°C ~ 125°C (TJ)
安装类型 :
Surface Mount
封装/箱体 :
6-VFLGA
供应商设备封装 :
6-LFGA (3x3)
重量 :
-
条件 :
新的和原始的
质量保证 :
365天保修
库存资源 :
特许经销商/制造商直销
出生国家 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
制造商零件编号
内部零件号
ABC-LN100LA-G
简要描述
MOSFET 2N-CH 1200V
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
52949 件
参考价
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