规格 NGTD28T65F2WP

零件号 : NGTD28T65F2WP
制造商 : ON Semiconductor
描述 : IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
系列 : -
零件状态 : Active
IGBT类型 : Trench Field Stop
电压 - 集电极发射极击穿(最大) : 650V
电流 - 集电极(Ic)(最大) : -
电流 - 集电极脉冲(ICM) : 200A
的VCE(on)(最大)Vge的,集成电路 : 2V @ 15V, 75A
功率 - 最大 : -
开关能量 : -
输入类型 : Standard
栅极电荷 : -
TD(开/关)@ 25℃ : -
测试条件 : -
反向恢复时间(trr) : -
工作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型 : Surface Mount
封装/箱体 : Die
供应商设备封装 : Die
重量 : -
条件 : 新的和原始的
质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
制造商零件编号
内部零件号
制造商
简要描述
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
184104 件
参考价
USD 0
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