RN1901FETE85LF 数据表
规格 RN1901FETE85LF
零件号 :
RN1901FETE85LF
制造商 :
Toshiba Semiconductor and Storage
描述 :
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
系列 :
-
零件状态 :
Active
晶体管类型 :
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
电流 - 集电极（Ic）（最大） :
100mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大） :
50V
电阻 - 基（R 1） :
4.7 kOhms
电阻器 - 发射极基极（R2） :
4.7 kOhms
直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，的Vce :
30 @ 10mA, 5V
Vce饱和（最大）@ IB，IC :
300mV @ 250µA, 5mA
电流 - 集电极截止（最大） :
100nA (ICBO)
频率 - 转换 :
250MHz
功率 - 最大 :
100mW
安装类型 :
Surface Mount
封装/箱体 :
SOT-563, SOT-666
供应商设备封装 :
ES6
重量 :
-
条件 :
新的和原始的
质量保证 :
365天保修
库存资源 :
特许经销商/制造商直销
出生国家 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
制造商零件编号
内部零件号
ABC-RN1901FETE85LF
简要描述
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
9346799 件
参考价
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