SSM6N815R,LF 数据表
规格 SSM6N815R,LF
零件号 :
SSM6N815R,LF
制造商 :
Toshiba Semiconductor and Storage
描述 :
MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF
系列 :
U-MOSVIII-H
零件状态 :
Active
FET型 :
2 N-Channel (Dual)
FET特点 :
Logic Level Gate, 4V Drive
漏极至源极电压（Vdss） :
100V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ :
2A (Ta)
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 :
103 mOhm @ 2A, 10V
VGS（TH）（最大）标识 :
2.5V @ 100µA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 :
3.1nC @ 4.5V
输入电容（CISS）（最大）的Vds :
290pF @ 15V
功率 - 最大 :
1.8W (Ta)
工作温度 :
150°C
安装类型 :
Surface Mount
封装/箱体 :
6-SMD, Flat Leads
供应商设备封装 :
6-TSOP-F
重量 :
-
条件 :
新的和原始的
质量保证 :
365天保修
库存资源 :
特许经销商/制造商直销
出生国家 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
制造商零件编号
内部零件号
ABC-SSM6N815R,LF
简要描述
MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
4354161 件
参考价
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