STB80NF55L-08-1 数据表
规格 STB80NF55L-08-1
零件号 :
STB80NF55L-08-1
制造商 :
STMicroelectronics
描述 :
MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
系列 :
STripFET™ II
零件状态 :
Obsolete
FET型 :
N-Channel
技术 :
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压（Vdss） :
55V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ :
80A (Tc)
驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） :
5V, 10V
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 :
8 mOhm @ 40A, 10V
VGS（TH）（最大）标识 :
2.5V @ 250µA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 :
100nC @ 4.5V
VGS（最大） :
±16V
输入电容（CISS）（最大）的Vds :
4350pF @ 25V
FET特点 :
-
功率耗散（最大） :
300W (Tc)
工作温度 :
175°C (TJ)
安装类型 :
Through Hole
供应商设备封装 :
I2PAK
封装/箱体 :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
重量 :
-
条件 :
新的和原始的
质量保证 :
365天保修
库存资源 :
特许经销商/制造商直销
出生国家 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
制造商零件编号
内部零件号
ABC-STB80NF55L-08-1
简要描述
MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
220040 件
参考价
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