STGB10M65DF2 数据表
规格 STGB10M65DF2
零件号 :
STGB10M65DF2
制造商 :
STMicroelectronics
描述 :
IGBT 650V 10A D2PAK
系列 :
-
零件状态 :
Active
IGBT类型 :
Trench Field Stop
电压 - 集电极发射极击穿（最大） :
650V
电流 - 集电极（Ic）（最大） :
20A
电流 - 集电极脉冲（ICM） :
40A
的VCE（on）（最大）Vge的，集成电路 :
2V @ 15V, 10A
功率 - 最大 :
115W
开关能量 :
120µJ (on), 270µJ (off)
输入类型 :
Standard
栅极电荷 :
28nC
TD（开/关）@ 25℃ :
19ns/91ns
测试条件 :
400V, 10A, 22 Ohm, 15V
反向恢复时间（trr） :
96ns
工作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型 :
Surface Mount
封装/箱体 :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商设备封装 :
D2PAK
重量 :
-
条件 :
新的和原始的
质量保证 :
365天保修
库存资源 :
特许经销商/制造商直销
出生国家 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
制造商零件编号
内部零件号
ABC-STGB10M65DF2
简要描述
IGBT 650V 10A D2PAK
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
424123 件
参考价
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