TK10A60W,S4VX 数据表
规格 TK10A60W,S4VX
零件号 :
TK10A60W,S4VX
制造商 :
Toshiba Semiconductor and Storage
描述 :
MOSFET N-CH 600V 9.7A TO-220SIS
系列 :
DTMOSIV
零件状态 :
Active
FET型 :
N-Channel
技术 :
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压（Vdss） :
600V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ :
9.7A (Ta)
驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） :
10V
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 :
380 mOhm @ 4.9A, 10V
VGS（TH）（最大）标识 :
3.7V @ 500µA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 :
20nC @ 10V
VGS（最大） :
±30V
输入电容（CISS）（最大）的Vds :
700pF @ 300V
FET特点 :
Super Junction
功率耗散（最大） :
30W (Tc)
工作温度 :
150°C (TJ)
安装类型 :
Through Hole
供应商设备封装 :
TO-220SIS
封装/箱体 :
TO-220-3 Full Pack
重量 :
-
条件 :
新的和原始的
质量保证 :
365天保修
库存资源 :
特许经销商/制造商直销
出生国家 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
制造商零件编号
内部零件号
ABC-TK10A60W,S4VX
简要描述
MOSFET N-CH 600V 9.7A TO-220SIS
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
233793 件
参考价
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