规格 TPC8213-H(TE12LQ,M
零件号 :
TPC8213-H(TE12LQ,M
制造商 :
Toshiba Semiconductor and Storage
描述 :
MOSFET 2N-CH 60V 5A SOP8
系列 :
-
零件状态 :
Obsolete
FET型 :
2 N-Channel (Dual)
FET特点 :
Logic Level Gate
漏极至源极电压（Vdss） :
60V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ :
5A
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 :
50 mOhm @ 2.5A, 10V
VGS（TH）（最大）标识 :
2.3V @ 1mA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 :
11nC @ 10V
输入电容（CISS）（最大）的Vds :
625pF @ 10V
功率 - 最大 :
450mW
工作温度 :
150°C (TJ)
安装类型 :
Surface Mount
封装/箱体 :
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
供应商设备封装 :
8-SOP (5.5x6.0)
重量 :
-
条件 :
新的和原始的
质量保证 :
365天保修
库存资源 :
特许经销商/制造商直销
出生国家 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
制造商零件编号
内部零件号
简要描述
MOSFET 2N-CH 60V 5A SOP8
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
50778 件
参考价
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