TPS1120DG4 数据表
规格 TPS1120DG4
零件号 :
TPS1120DG4
制造商 :
T-I
描述 :
MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC
系列 :
-
零件状态 :
Active
FET型 :
2 P-Channel (Dual)
FET特点 :
Logic Level Gate
漏极至源极电压（Vdss） :
15V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ :
1.17A
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 :
180 mOhm @ 1.5A, 10V
VGS（TH）（最大）标识 :
1.5V @ 250µA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 :
5.45nC @ 10V
输入电容（CISS）（最大）的Vds :
-
功率 - 最大 :
840mW
工作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型 :
Surface Mount
封装/箱体 :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商设备封装 :
8-SOIC
重量 :
-
条件 :
新的和原始的
质量保证 :
365天保修
库存资源 :
特许经销商/制造商直销
出生国家 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
制造商零件编号
内部零件号
ABC-TPS1120DG4
制造商
简要描述
MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
425089 件
参考价
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- MoneyGram
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