SI7900AEDN-T1-GE3 - MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8
制造商零件编号
内部零件号
制造商
简要描述
MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
1174040 Pieces
参考价
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规格 SI7900AEDN-T1-GE3
质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : SI7900AEDN-T1-GE3
制造商 : Vishay Siliconix
描述 : MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8
系列 : TrenchFET®
零件状态 : Active
FET型 : 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET特点 : Logic Level Gate
漏极至源极电压（Vdss） : 20V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 6A
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 26 mOhm @ 8.5A, 4.5V
VGS（TH）（最大）标识 : 900mV @ 250µA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 16nC @ 4.5V
输入电容（CISS）（最大）的Vds : -
功率 - 最大 : 1.5W
工作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型 : Surface Mount
封装/箱体 : PowerPAK® 1212-8 Dual
供应商设备封装 : PowerPAK® 1212-8 Dual
重量 : -
条件 : 新的和原始的
文件 SI7900AEDN-T1-GE3
数据表 : SI7900AEDN-T1-GE3.pdf
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