APTM100VDA35T3G - MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3

制造商零件编号

APTM100VDA35T3G

内部零件号

ABC-APTM100VDA35T3G

制造商

Microsemi Corporation

简要描述

MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3

RoHS状态

无铅/符合RoHS

交货时间

1-2天

可用数量

60788 Pieces

参考价

~~USD 0~~

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规格 APTM100VDA35T3G

质量保证 : 365天保修

库存资源 : 特许经销商/制造商直销

出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

零件号 : APTM100VDA35T3G

制造商 : Microsemi Corporation

描述 : MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3

系列 : POWER MOS 7®

零件状态 : Obsolete

FET型 : 2 N-Channel (Dual)

FET特点 : Standard

漏极至源极电压（Vdss） : 1000V (1kV)

电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 22A

RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 420 mOhm @ 11A, 10V

VGS（TH）（最大）标识 : 5V @ 2.5mA

栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 186nC @ 10V

输入电容（CISS）（最大）的Vds : 5200pF @ 25V

功率 - 最大 : 390W

工作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)

安装类型 : Chassis Mount

封装/箱体 : SP3

供应商设备封装 : SP3

重量 : -

条件 : 新的和原始的

文件 APTM100VDA35T3G

数据表 : APTM100VDA35T3G.pdf

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