SIHD1K4N60E-GE3 - MOSFET N-CH DPAK TO-252
制造商零件编号
内部零件号
ABC-SIHD1K4N60E-GE3
制造商
简要描述
MOSFET N-CH DPAK TO-252
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
495943 Pieces
参考价
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规格 SIHD1K4N60E-GE3
质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : SIHD1K4N60E-GE3
制造商 : Vishay Siliconix
描述 : MOSFET N-CH DPAK TO-252
系列 : E
零件状态 : Active
FET型 : N-Channel
技术 : MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压（Vdss） : 600V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 4.2A (Tc)
驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） : 10V
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 1.45 Ohm @ 500mA, 10V
VGS（TH）（最大）标识 : 5V @ 250µA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 7.5nC @ 10V
VGS（最大） : ±30V
输入电容（CISS）（最大）的Vds : 172pF @ 100V
FET特点 : -
功率耗散（最大） : 63W (Tc)
工作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型 : Surface Mount
供应商设备封装 : TO-252AA
封装/箱体 : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
重量 : -
条件 : 新的和原始的
文件 SIHD1K4N60E-GE3
数据表 : SIHD1K4N60E-GE3.pdf
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