APT45GP120B2DQ2G - IGBT 1200V 113A 625W TMAX

制造商零件编号

APT45GP120B2DQ2G

内部零件号

ABC-APT45GP120B2DQ2G

制造商

Microsemi Corporation

简要描述

IGBT 1200V 113A 625W TMAX

RoHS状态

无铅/符合RoHS

交货时间

1-2天

可用数量

54964 Pieces

参考价

~~USD 11.055~~

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规格 APT45GP120B2DQ2G

质量保证 : 365天保修

库存资源 : 特许经销商/制造商直销

出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

零件号 : APT45GP120B2DQ2G

制造商 : Microsemi Corporation

描述 : IGBT 1200V 113A 625W TMAX

系列 : POWER MOS 7®

零件状态 : Active

IGBT类型 : PT

电压 - 集电极发射极击穿（最大） : 1200V

电流 - 集电极（Ic）（最大） : 113A

电流 - 集电极脉冲（ICM） : 170A

的VCE（on）（最大）Vge的，集成电路 : 3.9V @ 15V, 45A

功率 - 最大 : 625W

开关能量 : 900µJ (on), 905µJ (off)

输入类型 : Standard

栅极电荷 : 185nC

TD（开/关）@ 25℃ : 18ns/100ns

测试条件 : 600V, 45A, 5 Ohm, 15V

反向恢复时间（trr） : -

工作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型 : Through Hole

封装/箱体 : TO-247-3 Variant

供应商设备封装 : -

重量 : -

条件 : 新的和原始的

文件 APT45GP120B2DQ2G

数据表 : APT45GP120B2DQ2G.pdf

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