TPCC8A01-H(TE12LQM - MOSFET N-CH 30V 21A SBD 8TSON

制造商零件编号

TPCC8A01-H(TE12LQM

内部零件号

ABC-TPCC8A01-H(TE12LQM

制造商

Toshiba Semiconductor and Storage

简要描述

MOSFET N-CH 30V 21A SBD 8TSON

RoHS状态

无铅/符合RoHS

交货时间

1-2天

可用数量

39072 Pieces

参考价

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规格 TPCC8A01-H(TE12LQM

质量保证 : 365天保修

库存资源 : 特许经销商/制造商直销

出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

零件号 : TPCC8A01-H(TE12LQM

制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage

描述 : MOSFET N-CH 30V 21A SBD 8TSON

系列 : U-MOSV-H

零件状态 : Obsolete

FET型 : N-Channel

技术 : MOSFET (Metal Oxide)

漏极至源极电压（Vdss） : 30V

电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 21A (Ta)

驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） : 4.5V, 10V

RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 9.9 mOhm @ 10.5A, 10V

VGS（TH）（最大）标识 : 2.3V @ 1mA

栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 20nC @ 10V

VGS（最大） : ±20V

输入电容（CISS）（最大）的Vds : 1900pF @ 10V

FET特点 : -

功率耗散（最大） : 700mW (Ta), 30W (Tc)

工作温度 : 150°C (TJ)

安装类型 : Surface Mount

供应商设备封装 : 8-TSON Advance (3.3x3.3)

封装/箱体 : 8-PowerVDFN

重量 : -

条件 : 新的和原始的

文件 TPCC8A01-H(TE12LQM

数据表 : TPCC8A01-H(TE12LQM.pdf

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