NGTD21T65F2WP - IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

制造商零件编号

NGTD21T65F2WP

内部零件号

ABC-NGTD21T65F2WP

制造商

ON Semiconductor

简要描述

IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

RoHS状态

无铅/符合RoHS

交货时间

1-2天

可用数量

255773 Pieces

参考价

~~USD 1.27971~~

我们的价格

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规格 NGTD21T65F2WP

质量保证 : 365天保修

库存资源 : 特许经销商/制造商直销

出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

零件号 : NGTD21T65F2WP

制造商 : ON Semiconductor

描述 : IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

系列 : -

零件状态 : Active

IGBT类型 : Trench Field Stop

电压 - 集电极发射极击穿（最大） : 650V

电流 - 集电极（Ic）（最大） : -

电流 - 集电极脉冲（ICM） : 200A

的VCE（on）（最大）Vge的，集成电路 : 1.9V @ 15V, 45A

功率 - 最大 : -

开关能量 : -

输入类型 : Standard

栅极电荷 : -

TD（开/关）@ 25℃ : -

测试条件 : -

反向恢复时间（trr） : -

工作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)

安装类型 : Surface Mount

封装/箱体 : Die

供应商设备封装 : Die

重量 : -

条件 : 新的和原始的

文件 NGTD21T65F2WP

数据表 : NGTD21T65F2WP.pdf

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