EPC8009 - GANFET TRANS 65V 2.7A BUMPED DIE
制造商零件编号
内部零件号
ABC-EPC8009
制造商
简要描述
GANFET TRANS 65V 2.7A BUMPED DIE
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
259770 Pieces
参考价
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规格 EPC8009
质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : EPC8009
制造商 : EPC
描述 : GANFET TRANS 65V 2.7A BUMPED DIE
系列 : eGaN®
零件状态 : Active
FET型 : N-Channel
技术 : GaNFET (Gallium Nitride)
漏极至源极电压（Vdss） : 65V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 2.7A (Ta)
驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） : 5V
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 130 mOhm @ 500mA, 5V
VGS（TH）（最大）标识 : 2.5V @ 250µA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 0.45nC @ 5V
VGS（最大） : +6V, -4V
输入电容（CISS）（最大）的Vds : 52pF @ 32.5V
FET特点 : -
功率耗散（最大） : -
工作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型 : Surface Mount
供应商设备封装 : Die
封装/箱体 : Die
重量 : -
条件 : 新的和原始的
文件 EPC8009
数据表 : EPC8009.pdf
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