GA10JT12-263 - TRANS SJT 1200V 25A

制造商零件编号

GA10JT12-263

内部零件号

ABC-GA10JT12-263

制造商

GeneSiC Semiconductor

简要描述

TRANS SJT 1200V 25A

RoHS状态

无铅/符合RoHS

交货时间

1-2天

可用数量

60320 Pieces

参考价

~~USD 10.075~~

我们的价格

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规格 GA10JT12-263

质量保证 : 365天保修

库存资源 : 特许经销商/制造商直销

出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

零件号 : GA10JT12-263

制造商 : GeneSiC Semiconductor

描述 : TRANS SJT 1200V 25A

系列 : -

零件状态 : Active

FET型 : -

技术 : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

漏极至源极电压（Vdss） : 1200V

电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 25A (Tc)

驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） : -

RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 120 mOhm @ 10A

VGS（TH）（最大）标识 : -

栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : -

VGS（最大） : -

输入电容（CISS）（最大）的Vds : 1403pF @ 800V

FET特点 : -

功率耗散（最大） : 170W (Tc)

工作温度 : 175°C (TJ)

安装类型 : Surface Mount

供应商设备封装 : -

封装/箱体 : -

重量 : -

条件 : 新的和原始的

文件 GA10JT12-263

数据表 : GA10JT12-263.pdf

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