MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E TR - IC DRAM 64G 2133MHZ FBGA

制造商零件编号

MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E TR

内部零件号

ABC-MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E TR

制造商

Micron Technology Inc.

简要描述

IC DRAM 64G 2133MHZ FBGA

RoHS状态

无铅/符合RoHS

交货时间

1-2天

可用数量

103496 Pieces

参考价

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规格 MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E TR

质量保证 : 365天保修

库存资源 : 特许经销商/制造商直销

出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

零件号 : MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E TR

制造商 : Micron Technology Inc.

描述 : IC DRAM 64G 2133MHZ FBGA

系列 : -

零件状态 : Active

内存类型 : Volatile

存储格式 : DRAM

技术 : SDRAM - Mobile LPDDR4

内存大小 : 64Gb (1G x 64)

时钟频率 : 2133MHz

写周期时间 - 字，页面 : -

访问时间 : -

内存接口 : -

电压 - 电源 : 1.1V

工作温度 : -30°C ~ 85°C (TC)

安装类型 : -

封装/箱体 : -

供应商设备封装 : -

重量 : -

条件 : 新的和原始的

相关链接 : MT53D1G64 , MT53D1G64D8NZ-

文件 MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E TR

数据表 : MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E TR.pdf

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