VS-GB200TH120N - IGBT 1200V 360A 1136W INT-A-PAK
制造商零件编号
内部零件号
ABC-VS-GB200TH120N
简要描述
IGBT 1200V 360A 1136W INT-A-PAK
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
59117 Pieces
参考价
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规格 VS-GB200TH120N
质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : VS-GB200TH120N
制造商 : Vishay Semiconductor Diodes Division
描述 : IGBT 1200V 360A 1136W INT-A-PAK
系列 : -
零件状态 : Active
IGBT类型 : -
组态 : Half Bridge
电压 - 集电极发射极击穿（最大） : 1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大） : 360A
功率 - 最大 : 1136W
的VCE（on）（最大）Vge的，集成电路 : 2.35V @ 15V, 200A
电流 - 集电极截止（最大） : 5mA
输入电容（连锁商店）@的Vce : 14.9nF @ 25V
输入 : Standard
NTC热敏电阻器 : No
工作温度 : 150°C (TJ)
安装类型 : Chassis Mount
封装/箱体 : Double INT-A-PAK (3 + 4)
供应商设备封装 : Double INT-A-PAK
重量 : -
条件 : 新的和原始的
文件 VS-GB200TH120N
数据表 : VS-GB200TH120N.pdf
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