FF23MR12W1M1B11BOMA1 - MOSFET 2 N-CH 1200V 50A MODULE

制造商零件编号

FF23MR12W1M1B11BOMA1

内部零件号

ABC-FF23MR12W1M1B11BOMA1

制造商

Infineon Technologies

简要描述

MOSFET 2 N-CH 1200V 50A MODULE

RoHS状态

无铅/符合RoHS

交货时间

1-2天

可用数量

48909 Pieces

参考价

~~USD 48.705~~

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规格 FF23MR12W1M1B11BOMA1

质量保证 : 365天保修

库存资源 : 特许经销商/制造商直销

出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

零件号 : FF23MR12W1M1B11BOMA1

制造商 : Infineon Technologies

描述 : MOSFET 2 N-CH 1200V 50A MODULE

系列 : CoolSiC™

零件状态 : Active

FET型 : 2 N-Channel (Dual)

FET特点 : Silicon Carbide (SiC)

漏极至源极电压（Vdss） : 1200V (1.2kV)

电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 50A

RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 23 mOhm @ 50A, 15V

VGS（TH）（最大）标识 : 5.55V @ 20mA

栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 125nC @ 15V

输入电容（CISS）（最大）的Vds : 3950pF @ 800V

功率 - 最大 : 20mW

工作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)

安装类型 : Chassis Mount

封装/箱体 : Module

供应商设备封装 : Module

重量 : -

条件 : 新的和原始的

文件 FF23MR12W1M1B11BOMA1

数据表 : FF23MR12W1M1B11BOMA1.pdf

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