EPC2100ENGRT - GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE
制造商零件编号
内部零件号
ABC-EPC2100ENGRT
制造商
简要描述
GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
158776 Pieces
参考价
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规格 EPC2100ENGRT
质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : EPC2100ENGRT
制造商 : EPC
描述 : GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE
系列 : eGaN®
零件状态 : Active
FET型 : 2 N-Channel (Half Bridge)
FET特点 : GaNFET (Gallium Nitride)
漏极至源极电压（Vdss） : 30V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 10A (Ta), 40A (Ta)
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V
VGS（TH）（最大）标识 : 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
输入电容（CISS）（最大）的Vds : 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
功率 - 最大 : -
工作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型 : Surface Mount
封装/箱体 : Die
供应商设备封装 : Die
重量 : -
条件 : 新的和原始的
文件 EPC2100ENGRT
数据表 : EPC2100ENGRT.pdf
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