BSG0811NDATMA1 - MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON
制造商零件编号
内部零件号
ABC-BSG0811NDATMA1
简要描述
MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
629699 Pieces
参考价
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规格 BSG0811NDATMA1
质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : BSG0811NDATMA1
制造商 : Infineon Technologies
描述 : MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON
系列 : OptiMOS™
零件状态 : Active
FET型 : 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET特点 : Logic Level Gate, 4.5V Drive
漏极至源极电压（Vdss） : 25V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 19A, 41A
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 3 mOhm @ 20A, 10V
VGS（TH）（最大）标识 : 2V @ 250µA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 8.4nC @ 4.5V
输入电容（CISS）（最大）的Vds : 1100pF @ 12V
功率 - 最大 : 2.5W
工作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型 : Surface Mount
封装/箱体 : 8-PowerTDFN
供应商设备封装 : PG-TISON-8
重量 : -
条件 : 新的和原始的
文件 BSG0811NDATMA1
数据表 : BSG0811NDATMA1.pdf
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