PMGD8000LN,115 - MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP
制造商零件编号
内部零件号
ABC-PMGD8000LN,115
制造商
简要描述
MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
48243 Pieces
参考价
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规格 PMGD8000LN,115
质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : PMGD8000LN,115
制造商 : NXP USA Inc.
描述 : MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP
系列 : TrenchMOS™
零件状态 : Obsolete
FET型 : 2 N-Channel (Dual)
FET特点 : Logic Level Gate
漏极至源极电压（Vdss） : 30V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 125mA
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 8 Ohm @ 10mA, 4V
VGS（TH）（最大）标识 : 1.5V @ 100µA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 0.35nC @ 4.5V
输入电容（CISS）（最大）的Vds : 18.5pF @ 5V
功率 - 最大 : 200mW
工作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型 : Surface Mount
封装/箱体 : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商设备封装 : 6-TSSOP
重量 : -
条件 : 新的和原始的
文件 PMGD8000LN,115
数据表 : PMGD8000LN,115.pdf
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