IPG20N06S4L11ATMA1 - MOSFET 2N-CH 8TDSON

制造商零件编号

IPG20N06S4L11ATMA1

内部零件号

ABC-IPG20N06S4L11ATMA1

制造商

Infineon Technologies

简要描述

MOSFET 2N-CH 8TDSON

RoHS状态

无铅/符合RoHS

交货时间

1-2天

可用数量

708659 Pieces

参考价

~~USD 0.46189~~

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规格 IPG20N06S4L11ATMA1

质量保证 : 365天保修

库存资源 : 特许经销商/制造商直销

出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

零件号 : IPG20N06S4L11ATMA1

制造商 : Infineon Technologies

描述 : MOSFET 2N-CH 8TDSON

系列 : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

零件状态 : Active

FET型 : 2 N-Channel (Dual)

FET特点 : Logic Level Gate

漏极至源极电压（Vdss） : 60V

电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 20A

RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 11.2 mOhm @ 17A, 10V

VGS（TH）（最大）标识 : 2.2V @ 28µA

栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 53nC @ 10V

输入电容（CISS）（最大）的Vds : 4020pF @ 25V

功率 - 最大 : 65W

工作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)

安装类型 : Surface Mount

封装/箱体 : 8-PowerVDFN

供应商设备封装 : PG-TDSON-8-4

重量 : -

条件 : 新的和原始的

文件 IPG20N06S4L11ATMA1

数据表 : IPG20N06S4L11ATMA1.pdf

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