SIB452DK-T1-GE3 - MOSFET N-CH 190V 1.5A SC75-6
制造商零件编号
内部零件号
ABC-SIB452DK-T1-GE3
制造商
简要描述
MOSFET N-CH 190V 1.5A SC75-6
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
1931111 Pieces
参考价
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规格 SIB452DK-T1-GE3
质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : SIB452DK-T1-GE3
制造商 : Vishay Siliconix
描述 : MOSFET N-CH 190V 1.5A SC75-6
系列 : TrenchFET®
零件状态 : Active
FET型 : N-Channel
技术 : MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压（Vdss） : 190V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 1.5A (Tc)
驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） : 1.8V, 4.5V
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 2.4 Ohm @ 500mA, 4.5V
VGS（TH）（最大）标识 : 1.5V @ 250µA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 6.5nC @ 10V
VGS（最大） : ±16V
输入电容（CISS）（最大）的Vds : 135pF @ 50V
FET特点 : -
功率耗散（最大） : 2.4W (Ta), 13W (Tc)
工作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型 : Surface Mount
供应商设备封装 : PowerPAK® SC-75-6L Single
封装/箱体 : PowerPAK® SC-75-6L
重量 : -
条件 : 新的和原始的
文件 SIB452DK-T1-GE3
数据表 : SIB452DK-T1-GE3.pdf
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