TK8S06K3L(T6L1,NQ) - MOSFET N-CH 60V 8A DPAK-3

制造商零件编号

TK8S06K3L(T6L1,NQ)

内部零件号

ABC-TK8S06K3L(T6L1,NQ)

制造商

Toshiba Semiconductor and Storage

简要描述

MOSFET N-CH 60V 8A DPAK-3

RoHS状态

无铅/符合RoHS

交货时间

1-2天

可用数量

1416982 Pieces

参考价

~~USD 0.231~~

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规格 TK8S06K3L(T6L1,NQ)

质量保证 : 365天保修

库存资源 : 特许经销商/制造商直销

出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

零件号 : TK8S06K3L(T6L1,NQ)

制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage

描述 : MOSFET N-CH 60V 8A DPAK-3

系列 : U-MOSIV

零件状态 : Active

FET型 : N-Channel

技术 : MOSFET (Metal Oxide)

漏极至源极电压（Vdss） : 60V

电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 8A (Ta)

驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） : 6V, 10V

RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 54 mOhm @ 4A, 10V

VGS（TH）（最大）标识 : 3V @ 1mA

栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 10nC @ 10V

VGS（最大） : ±20V

输入电容（CISS）（最大）的Vds : 400pF @ 10V

FET特点 : -

功率耗散（最大） : 25W (Tc)

工作温度 : 175°C (TJ)

安装类型 : Surface Mount

供应商设备封装 : DPAK+

封装/箱体 : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

重量 : -

条件 : 新的和原始的

文件 TK8S06K3L(T6L1,NQ)

数据表 : TK8S06K3L(T6L1,NQ).pdf

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