APTGT50DH60T1G - MOD IGBT 600V 80A SP1

制造商零件编号

APTGT50DH60T1G

内部零件号

ABC-APTGT50DH60T1G

制造商

Microsemi Corporation

简要描述

MOD IGBT 600V 80A SP1

RoHS状态

无铅/符合RoHS

交货时间

1-2天

可用数量

94176 Pieces

参考价

~~USD 15.88025~~

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规格 APTGT50DH60T1G

质量保证 : 365天保修

库存资源 : 特许经销商/制造商直销

出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

零件号 : APTGT50DH60T1G

制造商 : Microsemi Corporation

描述 : MOD IGBT 600V 80A SP1

系列 : -

零件状态 : Active

IGBT类型 : Trench Field Stop

组态 : Asymmetrical Bridge

电压 - 集电极发射极击穿（最大） : 600V

电流 - 集电极（Ic）（最大） : 80A

功率 - 最大 : 176W

的VCE（on）（最大）Vge的，集成电路 : 1.9V @ 15V, 50A

电流 - 集电极截止（最大） : 250µA

输入电容（连锁商店）@的Vce : 3.15nF @ 25V

输入 : Standard

NTC热敏电阻器 : Yes

工作温度 : -40°C ~ 175°C (TJ)

安装类型 : Chassis Mount

封装/箱体 : SP1

供应商设备封装 : SP1

重量 : -

条件 : 新的和原始的

文件 APTGT50DH60T1G

数据表 : APTGT50DH60T1G.pdf

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