DMJ70H1D3SJ3 - MOSFET N-CH TO251

制造商零件编号

DMJ70H1D3SJ3

内部零件号

ABC-DMJ70H1D3SJ3

制造商

Diodes Incorporated

简要描述

MOSFET N-CH TO251

RoHS状态

无铅/符合RoHS

交货时间

1-2天

可用数量

688233 Pieces

参考价

~~USD 0.4756~~

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规格 DMJ70H1D3SJ3

质量保证 : 365天保修

库存资源 : 特许经销商/制造商直销

出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

零件号 : DMJ70H1D3SJ3

制造商 : Diodes Incorporated

描述 : MOSFET N-CH TO251

系列 : -

零件状态 : Active

FET型 : N-Channel

技术 : MOSFET (Metal Oxide)

漏极至源极电压（Vdss） : 700V

电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 4.6A (Tc)

驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） : -

RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 1.3 Ohm @ 2.5A, 10V

VGS（TH）（最大）标识 : 4V @ 250µA

栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 13.9nC @ 10V

VGS（最大） : -

输入电容（CISS）（最大）的Vds : 351pF @ 50V

FET特点 : -

功率耗散（最大） : 41W (Tc)

工作温度 : -55°C ~ 155°C (TJ)

安装类型 : Through Hole

供应商设备封装 : TO-251

封装/箱体 : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

重量 : -

条件 : 新的和原始的

文件 DMJ70H1D3SJ3

数据表 : DMJ70H1D3SJ3.pdf

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