TK7E80W,S1X - MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220

制造商零件编号

TK7E80W,S1X

内部零件号

ABC-TK7E80W,S1X

制造商

Toshiba Semiconductor and Storage

简要描述

MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220

RoHS状态

无铅/符合RoHS

交货时间

1-2天

可用数量

227304 Pieces

参考价

~~USD 1.44~~

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规格 TK7E80W,S1X

质量保证 : 365天保修

库存资源 : 特许经销商/制造商直销

出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

零件号 : TK7E80W,S1X

制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage

描述 : MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220

系列 : DTMOSIV

零件状态 : Active

FET型 : N-Channel

技术 : MOSFET (Metal Oxide)

漏极至源极电压（Vdss） : 800V

电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 6.5A (Ta)

驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） : 10V

RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 950 mOhm @ 3.3A, 10V

VGS（TH）（最大）标识 : 4V @ 280µA

栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 13nC @ 10V

VGS（最大） : ±20V

输入电容（CISS）（最大）的Vds : 700pF @ 300V

FET特点 : -

功率耗散（最大） : 110W (Tc)

工作温度 : 150°C

安装类型 : Through Hole

供应商设备封装 : TO-220

封装/箱体 : TO-220-3

重量 : -

条件 : 新的和原始的

文件 TK7E80W,S1X

数据表 : TK7E80W,S1X.pdf

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