TPH3206LDGB - GANFET N-CH 650V 16A PQFN
制造商零件编号
内部零件号
ABC-TPH3206LDGB
制造商
简要描述
GANFET N-CH 650V 16A PQFN
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
77931 Pieces
参考价
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规格 TPH3206LDGB
质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : TPH3206LDGB
制造商 : Transphorm
描述 : GANFET N-CH 650V 16A PQFN
系列 : -
零件状态 : Not For New Designs
FET型 : N-Channel
技术 : GaNFET (Gallium Nitride)
漏极至源极电压（Vdss） : 650V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 16A (Tc)
驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） : 10V
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 180 mOhm @ 11A, 8V
VGS（TH）（最大）标识 : 2.6V @ 500µA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 9.3nC @ 4.5V
VGS（最大） : ±18V
输入电容（CISS）（最大）的Vds : 760pF @ 480V
FET特点 : -
功率耗散（最大） : 81W (Tc)
工作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型 : Surface Mount
供应商设备封装 : PQFN (8x8)
封装/箱体 : 3-PowerDFN
重量 : -
条件 : 新的和原始的
文件 TPH3206LDGB
数据表 : TPH3206LDGB.pdf
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