HGT1S10N120BNST - IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
制造商零件编号
内部零件号
ABC-HGT1S10N120BNST
制造商
简要描述
IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
363083 Pieces
参考价
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规格 HGT1S10N120BNST
质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : HGT1S10N120BNST
制造商 : ON Semiconductor
描述 : IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
系列 : -
零件状态 : Active
IGBT类型 : NPT
电压 - 集电极发射极击穿（最大） : 1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大） : 35A
电流 - 集电极脉冲（ICM） : 80A
的VCE（on）（最大）Vge的，集成电路 : 2.7V @ 15V, 10A
功率 - 最大 : 298W
开关能量 : 320µJ (on), 800µJ (off)
输入类型 : Standard
栅极电荷 : 100nC
TD（开/关）@ 25℃ : 23ns/165ns
测试条件 : 960V, 10A, 10 Ohm, 15V
反向恢复时间（trr） : -
工作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型 : Surface Mount
封装/箱体 : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商设备封装 : TO-263AB
重量 : -
条件 : 新的和原始的
文件 HGT1S10N120BNST
数据表 : HGT1S10N120BNST.pdf
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