EPC2106ENGRT - GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE

制造商零件编号

EPC2106ENGRT

内部零件号

ABC-EPC2106ENGRT

制造商

EPC

简要描述

GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE

RoHS状态

无铅/符合RoHS

交货时间

1-2天

可用数量

835009 Pieces

参考价

~~USD 0.392~~

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规格 EPC2106ENGRT

质量保证 : 365天保修

库存资源 : 特许经销商/制造商直销

出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

零件号 : EPC2106ENGRT

制造商 : EPC

描述 : GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE

系列 : eGaN®

零件状态 : Active

FET型 : 2 N-Channel (Half Bridge)

FET特点 : GaNFET (Gallium Nitride)

漏极至源极电压（Vdss） : 100V

电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 1.7A

RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 70 mOhm @ 2A, 5V

VGS（TH）（最大）标识 : 2.5V @ 600µA

栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 0.73nC @ 5V

输入电容（CISS）（最大）的Vds : 75pF @ 50V

功率 - 最大 : -

工作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)

安装类型 : Surface Mount

封装/箱体 : Die

供应商设备封装 : Die

重量 : -

条件 : 新的和原始的

文件 EPC2106ENGRT

数据表 : EPC2106ENGRT.pdf

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