IXTY1R4N120PHV - MOSFET N-CH

制造商零件编号

IXTY1R4N120PHV

内部零件号

ABC-IXTY1R4N120PHV

制造商

IXYS

简要描述

MOSFET N-CH

RoHS状态

无铅/符合RoHS

交货时间

1-2天

可用数量

290948 Pieces

参考价

~~USD 1.125~~

我们的价格

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规格 IXTY1R4N120PHV

质量保证 : 365天保修

库存资源 : 特许经销商/制造商直销

出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

零件号 : IXTY1R4N120PHV

制造商 : IXYS

描述 : MOSFET N-CH

系列 : Polar™

零件状态 : Active

FET型 : N-Channel

技术 : MOSFET (Metal Oxide)

漏极至源极电压（Vdss） : 1200V

电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 1.4A (Tc)

驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） : 10V

RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 13 Ohm @ 700mA, 10V

VGS（TH）（最大）标识 : 4.5V @ 100µA

栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 24.8nC @ 10V

VGS（最大） : ±30V

输入电容（CISS）（最大）的Vds : 666pF @ 25V

FET特点 : -

功率耗散（最大） : 86W (Tc)

工作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型 : Surface Mount

供应商设备封装 : TO-252

封装/箱体 : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

重量 : -

条件 : 新的和原始的

文件 IXTY1R4N120PHV

数据表 : IXTY1R4N120PHV.pdf

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