2N7635-GA - TRANS SJT 650V 4A TO-257

制造商零件编号

2N7635-GA

内部零件号

ABC-2N7635-GA

制造商

GeneSiC Semiconductor

简要描述

TRANS SJT 650V 4A TO-257

RoHS状态

无铅/符合RoHS

交货时间

1-2天

可用数量

78525 Pieces

参考价

~~USD 0~~

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规格 2N7635-GA

质量保证 : 365天保修

库存资源 : 特许经销商/制造商直销

出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

零件号 : 2N7635-GA

制造商 : GeneSiC Semiconductor

描述 : TRANS SJT 650V 4A TO-257

系列 : -

零件状态 : Obsolete

FET型 : -

技术 : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

漏极至源极电压（Vdss） : 650V

电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 4A (Tc) (165°C)

驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） : -

RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 415 mOhm @ 4A

VGS（TH）（最大）标识 : -

栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : -

VGS（最大） : -

输入电容（CISS）（最大）的Vds : 324pF @ 35V

FET特点 : -

功率耗散（最大） : 47W (Tc)

工作温度 : -55°C ~ 225°C (TJ)

安装类型 : Through Hole

供应商设备封装 : TO-257

封装/箱体 : TO-257-3

重量 : -

条件 : 新的和原始的

文件 2N7635-GA

数据表 : 2N7635-GA.pdf

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