BUK9E2R8-60E,127 - MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK

制造商零件编号
内部零件号
制造商
简要描述
MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
45994 Pieces
参考价
USD 0
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规格 BUK9E2R8-60E,127

质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : BUK9E2R8-60E,127
制造商 : NXP USA Inc.
描述 : MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
系列 : TrenchMOS™
零件状态 : Obsolete
FET型 : N-Channel
技术 : MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss) : 60V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃ : 120A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON)) : 5V, 10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的 : 2.6 mOhm @ 25A, 10V
VGS(TH)(最大)标识 : 2.1V @ 1mA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的 : 120nC @ 5V
VGS(最大) : ±10V
输入电容(CISS)(最大)的Vds : 17450pF @ 25V
FET特点 : -
功率耗散(最大) : 349W (Tc)
工作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型 : Through Hole
供应商设备封装 : I2PAK
封装/箱体 : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
重量 : -
条件 : 新的和原始的
相关链接 : BUK9E , BUK9E2R8

文件 BUK9E2R8-60E,127

数据表 : BUK9E2R8-60E,127.pdf

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