US6J11TR - MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6
制造商零件编号
内部零件号
ABC-US6J11TR
简要描述
MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
3352013 Pieces
参考价
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规格 US6J11TR
质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : US6J11TR
制造商 : Rohm Semiconductor
描述 : MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6
系列 : -
零件状态 : Active
FET型 : 2 P-Channel (Dual)
FET特点 : Logic Level Gate
漏极至源极电压（Vdss） : 12V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 1.3A
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 260 mOhm @ 1.3A, 4.5V
VGS（TH）（最大）标识 : 1V @ 1mA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 2.4nC @ 4.5V
输入电容（CISS）（最大）的Vds : 290pF @ 6V
功率 - 最大 : 320mW
工作温度 : 150°C (TJ)
安装类型 : Surface Mount
封装/箱体 : 6-SMD, Flat Leads
供应商设备封装 : TUMT6
重量 : -
条件 : 新的和原始的
文件 US6J11TR
数据表 : US6J11TR.pdf
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