BUK9E4R4-80E,127 - MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
制造商零件编号
内部零件号
ABC-BUK9E4R4-80E,127
制造商
简要描述
MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
45994 Pieces
参考价
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规格 BUK9E4R4-80E,127
质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : BUK9E4R4-80E,127
制造商 : NXP USA Inc.
描述 : MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
系列 : TrenchMOS™
零件状态 : Obsolete
FET型 : N-Channel
技术 : MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压（Vdss） : 80V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 120A (Tc)
驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） : 5V, 10V
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 4.2 mOhm @ 25A, 10V
VGS（TH）（最大）标识 : 2.1V @ 1mA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 123nC @ 5V
VGS（最大） : ±10V
输入电容（CISS）（最大）的Vds : 17130pF @ 25V
FET特点 : -
功率耗散（最大） : 349W (Tc)
工作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型 : Through Hole
供应商设备封装 : I2PAK
封装/箱体 : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
重量 : -
条件 : 新的和原始的
文件 BUK9E4R4-80E,127
数据表 : BUK9E4R4-80E,127.pdf
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