QJD1210011 - MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
制造商零件编号
内部零件号
ABC-QJD1210011
制造商
简要描述
MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
60658 Pieces
参考价
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规格 QJD1210011
质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : QJD1210011
制造商 : Powerex Inc.
描述 : MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
系列 : -
零件状态 : Active
FET型 : 2 N-Channel (Dual)
FET特点 : Silicon Carbide (SiC)
漏极至源极电压（Vdss） : 1200V (1.2kV)
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 100A (Tc)
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 25 mOhm @ 100A, 20V
VGS（TH）（最大）标识 : 5V @ 10mA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 500nC @ 20V
输入电容（CISS）（最大）的Vds : 10200pF @ 800V
功率 - 最大 : 900W
工作温度 : -40°C ~ 175°C (TJ)
安装类型 : Chassis Mount
封装/箱体 : Module
供应商设备封装 : Module
重量 : -
条件 : 新的和原始的
文件 QJD1210011
数据表 : QJD1210011.pdf
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