IS42RM16160E-6BLI - IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA
制造商零件编号
内部零件号
简要描述
IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
56277 Pieces
参考价
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规格 IS42RM16160E-6BLI
质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : IS42RM16160E-6BLI
制造商 : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
描述 : IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA
系列 : -
零件状态 : Discontinued at Digi-Key
内存类型 : Volatile
存储格式 : DRAM
技术 : SDRAM - Mobile
内存大小 : 256Mb (16M x 16)
时钟频率 : 166MHz
写周期时间 - 字，页面 : -
访问时间 : 5.5ns
内存接口 : Parallel
电压 - 电源 : 2.3V ~ 3V
工作温度 : -40°C ~ 85°C (TA)
安装类型 : Surface Mount
封装/箱体 : 54-TFBGA
供应商设备封装 : 54-TFBGA (8x8)
重量 : -
条件 : 新的和原始的
文件 IS42RM16160E-6BLI
数据表 : IS42RM16160E-6BLI.pdf
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