HTNFET-D - MOSFET N-CH 55V 8-DIP
制造商零件编号
内部零件号
ABC-HTNFET-D
简要描述
MOSFET N-CH 55V 8-DIP
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
59150 Pieces
参考价
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规格 HTNFET-D
质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : HTNFET-D
制造商 : Honeywell Aerospace
描述 : MOSFET N-CH 55V 8-DIP
系列 : HTMOS™
零件状态 : Active
FET型 : N-Channel
技术 : MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压（Vdss） : 55V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : -
驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） : 5V
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 400 mOhm @ 100mA, 5V
VGS（TH）（最大）标识 : 2.4V @ 100µA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 4.3nC @ 5V
VGS（最大） : 10V
输入电容（CISS）（最大）的Vds : 290pF @ 28V
FET特点 : -
功率耗散（最大） : 50W (Tj)
工作温度 : -55°C ~ 225°C (TJ)
安装类型 : Through Hole
供应商设备封装 : 8-CDIP-EP
封装/箱体 : 8-CDIP Exposed Pad
重量 : -
条件 : 新的和原始的
文件 HTNFET-D
数据表 : HTNFET-D.pdf
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