CTLDM8002A-M621H TR - MOSFET N-CH 50V DFN6

制造商零件编号

CTLDM8002A-M621H TR

内部零件号

ABC-CTLDM8002A-M621H TR

制造商

Central Semiconductor Corp

简要描述

MOSFET N-CH 50V DFN6

RoHS状态

无铅/符合RoHS

交货时间

1-2天

可用数量

44148 Pieces

参考价

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规格 CTLDM8002A-M621H TR

质量保证 : 365天保修

库存资源 : 特许经销商/制造商直销

出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

零件号 : CTLDM8002A-M621H TR

制造商 : Central Semiconductor Corp

描述 : MOSFET N-CH 50V DFN6

系列 : -

零件状态 : Obsolete

FET型 : P-Channel

技术 : MOSFET (Metal Oxide)

漏极至源极电压（Vdss） : 50V

电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 280mA (Ta)

驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） : 5V, 10V

RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 2.5 Ohm @ 500mA, 10V

VGS（TH）（最大）标识 : 2.5V @ 250µA

栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 0.72nC @ 4.5V

VGS（最大） : 20V

输入电容（CISS）（最大）的Vds : 70pF @ 25V

FET特点 : -

功率耗散（最大） : 1.6W (Ta)

工作温度 : -65°C ~ 150°C (TJ)

安装类型 : Surface Mount

供应商设备封装 : TLM621H

封装/箱体 : 6-XFDFN Exposed Pad

重量 : -

条件 : 新的和原始的

文件 CTLDM8002A-M621H TR

数据表 : CTLDM8002A-M621H TR.pdf

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